单晶硅生长原理及工艺
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论文摘要：介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。通过控制不同的工艺参数（晶体转速：2.5、10、20rpm;坩埚转速：1.25、5、10）,成功生长出了三根150×1000mm优质单晶硅棒。分别对这三种单晶硅样品进行了电阻率、氧含量、碳含量、少子寿命测试,结果表明,当晶体转速为10rpm,坩埚转速为5rpm,所生长出的单晶硅质量最佳。最后分析了氧杂质和碳杂质的引入机制及减少杂质的措施。
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关 键 词：单晶硅论文,直拉法生长论文,性能测试论文,氧杂质论文,碳杂质论文
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来源期刊：《长春理工大学学报》2009年 第4期
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收录数据库： 中文科技期刊数据库
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